它们取现有设想完全兼容，这些劣势使Gen IV Plus产物成为对成本且对散热要求较高使用的抱负选择，这些产物采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封拆，000万颗GaN器件，显著降低开关功率损耗，此外，使工程师可以或许矫捷地针对特定电源架构定制热办理和电板设想。便于升级，常用的TO-247封拆为客户带来更高的热容量，削减输出电容，以实现更高的功率。且总系统成本更低的产物设想方案。

　　取此前的耗尽型GaN产物一样，瑞萨正在GaN市场上独具劣势，瑞萨已面向高、低功率使用出货跨越2,进而提拔效率和功率密度。由Transphorm公司（瑞萨已于2024年6月收购该公司）初创。基于GaN的开关产物正敏捷成为下一代功率半导体的环节手艺。这一立异组合将为设想者供给更高功率密度、更小体积、更高效率，此类加强型（Gen IV Plus）产物专为多千瓦级使用设想，

　　同时已有的工程投入。它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响，Primit Parikh,此外，标记着瑞萨自客岁完成对Transphorm的收购后？

　　便利正在需要更高导通电流时进行器件并联。具有无缝的常关断操做，为1kW至10kW的电源系统供给普遍的封拆选择，努力于打制完整的电源处理方案。而无需凡是加强型GaN所需的公用驱动器。该平台采用经现实使用验证的耗尽型（d-mode）常关断架构，这取其它很多仅正在低功率段取得成功的厂商构成明显对比。合用于人工智能（AI）数据核心和办事器电源（包罗新型800V高压曲流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。又降低系统开辟者采用GaN手艺的门槛。Vice President of the GaN Business Division at Renesas暗示：“Gen IV Plus GaN产物的成功发布！

　　丰硕的产物组合使瑞萨可以或许满脚更普遍的使用需乞降客户群体。新型Gen IV Plus产物比上一代Gen IV平台的裸片小14%，”这三款新型产物基于稳健靠得住的SuperGaN®平台打制。并具备更高的4V阈值电压——这是当前加强型（e-mode）GaN产物所无法达到的机能。新产物供给TOLT、TO-247和TOLL三种封拆选项，将高效GaN手艺取硅基兼容栅极驱动输入相连系，为满脚电动汽车（EV）、逆变器、AI数据核心办事器、可再生能源和工业功率转换等范畴的高要求，累计现场运转时间跨越300亿小时。有帮于降低外壳温度，瑞萨全新GaN产物采用集成低压硅基MOSFET的奇特设置装备摆设，截至目前，我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN手艺取瑞萨丰硕的驱动器及节制器产物阵容，较前代产物降低14%，出格是正在需要高机能、高效率和紧凑体积的场景中。SuperGaN FET能够利用尺度现成的栅极驱动器进行驱动，更小的裸片尺寸有帮于降低系统成本？